Resonanztunneldioden sind Halbleiterbauelemente, die aufgrund des quantenmechanischen Effekts des Tunnelns eine Strom-Spannungs-Charakteristik mit einem negativen differentiellen Widerstand aufweisen. Das neuartige Bauelement besteht aus einem elektrisch isolierenden Substrat, einer Metallschicht und einer Übergangsmetalloxidschicht mit amorpher Struktur. Aufgebaut werden diese Bauelemente aus einer ersten aluminiumhaltigen Kontaktschicht, einer V2O5-Schicht und einem zweiten elektrischen Kontakt. Sie besitzen die für Resonanztunneldioden typische elektrische Kennlinie mit einem negativen differenziellen Widerstandsbereich, bleiben jedoch optisch transparent, unabhängig von dem jeweiligen Schaltzustand.

Aufgrund der verwendeten Materialien und des verwendeten Prozesses sind die Resonanztunneldioden einfach herstellbar, robust und besonders temperaturstabil.