In der Leistungselektronik wandeln schnellschaltende elektronische Bauelemente elektrische Energie um – etwa in Wechsel- oder Frequenzumrichtern oder in Schaltreglern. Diese Elektronik-Bauteile sollen möglichst kostengünstig sein und je nach Anwendung eine besonders hohe Leistungsdichte oder ein geringes Gewicht haben. Neben den üblichen Silizium-(Si)-Halbleitern werden auch Halbleiter auf Basis von Silizumcarbid (SiC) bzw. Galliumnitrid (GaN) verwendet, die eine große Bandlücke (Wide Band Gap) aufweisen und sehr hohe Schaltfrequenzen ermöglichen.  Eine neue Erfindung der Hochschule Bonn-Rhein-Sieg setzt nun auf eine neuartige elektronische Schaltung, um solcher GaN GIT Halbleiterbauelemente anzusteuern. Dazu wird eine Schaltung mit mindestens einer Kapazität und einer Zener-Diode parallelgeschaltet. Der Vorteil: Mit dieser Treiberschaltung lassen sich Leistungshalbleiter (SD) hochfrequent ansteuern, genauer gesagt im Megahertz-Bereich. Die Anzahl der Komponenten wird durch eine bessere Kontrolle über die Schaltwellenform reduziert, was zu einer Reduzierung parasitärer Komponenten führt. Darüber hinaus ist auch eine negative Gate-Ansteuerung möglich, selbst wenn eine unipolare Versorgung in der Gate-Treiberschaltung verwendet wird. Weitere Vorteile wie geringere Verluste, eine Erhöhung der Leistungsdichte und ein einfacheres Schaltungsdesign werden ebenfalls erzielt.