Der Open FET Sensor ist ein Feldeffekttransistor-basierter Sensor, bei der die Gate-Elektrode nur mit dem zu messenden Signal und nicht – wie sonst üblich – mit weiteren elektronischen Komponenten verbunden ist. Durch die Kühlung des n-Junction FET kann der Leckstrom auf 10-20 A reduziert werden. Damit kommt der Open FET Sensor einer idealen Spannungsmessung schon sehr nahe. Die Eingangskapazität beträgt ca. 5 pF; die volle Bandbreite beträgt 10 kHz. Das Eingangsrauschen ist kleiner als 1 µV/√Hz. Das linke Diagramm zeigt das Ausgangssignal für ein Rechtecksignal von 60 µVpp bei 3 kHz. Bei Reduktion der Bandbreite können in einem integrierenden Modus Ströme von 10-18 A gemessen werden. Das rechte Bild stellt das Signal bei einem Eingangsstrom von +/- 1×〖10〗^(-18) A dar. Trotz der extremen Messempfindlichkeit ist der Open FET Sensor relativ robust. Er verträgt außerhalb des Messbereichs Eingangsströme von einigen 10 µA und schützt sich dadurch gegen elektrostatische Aufladungen. Das bedeutet, dass in der Praxis keine besonderen Vorsichtsmaßnahmen ergriffen werden müssen, wie es z. B. bei einem MOS-Feldeffekttransistor erforderlich wäre. Besonders gut eignet sich der Open FET Sensor für die Rasterkraft- und Rastertunnelmikroskopie bei tiefen Temperaturen. Die Messleitungen können kurz gehalten werden und man erhält eine Impedanzwandlung über 12 Größenordnungen. Die Robustheit erlaubt z. B. auch die Präparation der Sensorspitze bei hohen Spannungen und Strömen.